metal gate半導體
...極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技...
高介電係數閘極介層技術
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...GateDielectric)技術是半導體元件進入深.次微米乃至於奈米世代的一項重要關鍵...△圖四SingleMetal與DualMetalGate的能帶示意圖.Page7.第14期電子與材料雜誌.
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